Name: IAUZ30N10S5L240ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND
Price: 1.7303 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 30 A (Tc) 45,5W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-32

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IAUZ30N10S5L240ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZ30N10S5L240ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 30 A (Tc) 45,5W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-32
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™ 5	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 832 pF @ 50 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 45,5W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-32
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base IAUZ30
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 15µA