Name: IAUMN08S5N012GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND
Price: 6.1347 EUR
Availability: InStock

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IAUMN08S5N012GAUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUMN08S5N012GAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUMN08S5N012GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUMN08S5N012GAUMA1
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 300A (Tj) 325W (Tc) Montage en surface PG-HSOG-4-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUMN08S5N012GAUMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 232µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 194 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13550 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 325W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur PG-HSOG-4-1
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 100A, 10V	Boîtier 4-PowerSFN