Name: IAUC60N04S6N031HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND
Price: 2.7225 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFET - Matrices 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-56

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IAUC60N04S6N031HATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC60N04S6N031HATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC60N04S6N031HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC60N04S6N031HATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-56
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC60N04S6N031HATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Fabricant Infineon Technologies	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1922pF à 25V
Série OptiMOS™ 6	Puissance - Max. 75W (Tc)
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tj)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-56
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base IAUC60
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 25µA