Name: IAUC41N06S5L100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC41N06S5L100ATMA1TR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

Canal N 60 V 41A (Tj) 42W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-33

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IAUC41N06S5L100ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC41N06S5L100ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC41N06S5L100ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC41N06S5L100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC41N06S5L100ATMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 41A (Tj) 42W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-33
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC41N06S5L100ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16.4 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1205 pF @ 30 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41A (Tj)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-33
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 13µA	Numéro de produit de base IAUC41