Name: IAUC100N08S5N043ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC100N08S5N043ATMA1TR-ND
Price: 2.6015 EUR
Availability: InStock

Canal N 80 V 100 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-34

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUC100N08S5N043ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC100N08S5N043ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC100N08S5N043ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC100N08S5N043ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC100N08S5N043ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-34
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC100N08S5N043ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™ 5	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3860 pF @ 40 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-34
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base IAUC100
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 63µA