FF6MR12W2M1B11BOMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Équivalent paramétrique


Infineon Technologies
En stock: 15
Prix unitaire : 129,51000 €
Fiche technique
AG-EASY2BM-2
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AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Numéro de produit DigiKey
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2BM-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Obsolète
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,63mohms à 200A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
5,55V à 80mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
496nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14700pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-EASY2BM-2
Numéro de produit de base
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Obsolète
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