Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.1495 EUR
Availability: InStock

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BSZ120P03NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ120P03NS3GATMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ120P03NS3GATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,1V à 73µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3360 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 52W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base BSZ120
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 20A, 10V

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