Name: BSS606NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS606NH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.968 EUR
Availability: InStock

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BSS606NH6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	BSS606NH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine BSS606NH6327XTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSS606NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSS606NH6327XTSA1
Description	MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 3,2 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface PG-SOT89
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSS606NH6327XTSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.6 nC @ 5 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 657 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta)	Boîtier fournisseur PG-SOT89
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-243AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 3,2A, 10V	Numéro de produit de base BSS606
Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 15µA

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Documents et supports

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