Name: BSP125H6433XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP125H6433XTMA1TR-ND
Price: 1.4036 EUR
Availability: InStock

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BSP125H6433XTMA1
Numéro de produit DigiKey	BSP125H6433XTMA1TR-ND - Bande et bobine BSP125H6433XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSP125H6433XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSP125H6433XTMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.6 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série SIPMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1,8W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120mA (Ta)	Boîtier fournisseur PG-SOT223-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 94µA	Numéro de produit de base BSP125

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