BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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BSC123N10LSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC123N10LSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC123N10LSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC123N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC123N10LSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10,6 A (Ta), 71 A (Tc) 114W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC123N10LSGATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 72µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4900 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 114W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,6 A (Ta), 71 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC123
Rds On (max.) à Id, Vgs 12,3mohms à 50A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC070N10LS5ATMA1	Infineon Technologies	9 836	448-BSC070N10LS5ATMA1CT-ND	1,22000 €	Recommandation fabricant
AON6450L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AON6450L-ND	0,44845 €	Similaire
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4 580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	2,85000 €	Similaire
FDMS3662	onsemi	9 547	FDMS3662CT-ND	3,51000 €	Similaire
FDMS86183	onsemi	10 389	FDMS86183CT-ND	2,05000 €	Similaire