Name: BSC0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC0501NSIATMA1TR-ND
Price: 1.9239 EUR
Availability: InStock

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BSC0501NSIATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC0501NSIATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC0501NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC0501NSIATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2200 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Fonction FET Diode Schottky (substrat)
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Ta), 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base BSC0501