Name: BSC026N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC026N04LSATMA1TR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

BSC026N04LSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC026N04LSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC026N04LSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC026N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC026N04LSATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC026N04LSATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,6mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2300 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-6
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC026

Prix unitaire sans TVA:	1,36000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,64560 €

BSC026N04LSATMA1