Name: BSC025N08LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC025N08LS5ATMA1TR-ND
Price: 2.8314 EUR
Availability: InStock

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BSC025N08LS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC025N08LS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC025N08LS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC025N08LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC025N08LS5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 156W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC025N08LS5ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 115µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 4.5 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 156W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC025
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 50A, 10V

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