Name: BSC019N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N06NSATMA1TR-ND
Price: 1.7061 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC019N06NSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC019N06NSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC019N06NSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC019N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC019N06NSATMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 100 A (Ta) 136W (Ta) Montage en surface PG-TDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC019N06NSATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 74µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 77 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5250 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 136W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8 FL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Ta)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base BSC019
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,95mohms à 50A, 10V