Name: BSC019N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N04LSATMA1TR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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BSC019N04LSATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC019N04LSATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC019N04LSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC019N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC019N04LSATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 27 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC019N04LSATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2900 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 78W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Ta), 100 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC019
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 50A, 10V