Name: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.5211 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC004NE2LS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC004NE2LS5ATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2,5W (Ta), 188W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC004NE2LS5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,45mohms à 30A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 10mA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 238 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11000 pF @ 12.5 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 188W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40A (Ta), 479A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN