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BAV199E6359HTMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BAV199E6359HTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BAV199E6359HTMA1-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BAV199E6359HTMA1 |
Description | DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23 |
Référence client | |
Description détaillée | Réseau de diodes 1 paire de connexions série 80 V 200mA (CC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5 µs |
Fabricant Infineon Technologies | Courant - Fuite inverse à Vr 5 nA @ 75 V |
Conditionnement Bande et bobine | Température de fonctionnement - Jonction 150°C (maxi) |
Statut du composant Obsolète | Grade Automobile |
Configuration de diode 1 paire de connexions série | Qualification AEC-Q101 |
Technologies Standard | Type de montage Montage en surface |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 80 V | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200mA (CC) | Boîtier fournisseur PG-SOT23 |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.25 V @ 150 mA | Numéro de produit de base |
Vitesse Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SS379,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 18 524 | 1SS379LFCT-ND | 0,51000 € | Similaire |
| BAV199 | Diotec Semiconductor | 34 205 | 4878-BAV199CT-ND | 0,12000 € | Similaire |
| BAV199LT1G | onsemi | 294 982 | BAV199LT1GOSCT-ND | 0,14000 € | Similaire |
| SBAV199LT1G | onsemi | 63 456 | SBAV199LT1GOSCT-ND | 0,15000 € | Similaire |
Obsolète
Stock de la marketplace : 800 000 Afficher
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Expédié par Rochester Electronics, LLC
