AUIRF7316QTR Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

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AUIRF7316QTR
Numéro de produit DigiKey	448-AUIRF7316QTR-ND - Bande et bobine 448-AUIRF7316QTRCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRF7316QTR
Description	MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AUIRF7316QTR Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34nC à 10V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 710pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Puissance - Max. 2W
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux P (double)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension drain-source (Vdss) 30V	Numéro de produit de base AUIRF7316
Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 4,9A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDS6975	onsemi	15 418	FDS6975CT-ND	1,75000 €	Direct

En stock: 1

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)