Name: AIMDQ75R025M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.3584 EUR
Availability: InStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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AIMDQ75R025M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMDQ75R025M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMDQ75R025M2HXTMA1
Description	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 70 A (Tc) 272W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	750 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 36,7A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 8,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1729 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	272W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22
Boîtier	Module 22-PowerBSOP