Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 39.3976 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12

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AIMBG75R007M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies Americas Corp.
Numéro de produit du fabricant	AIMBG75R007M2HXTMA1
Description	AIMBG75R007M2HXTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AIMBG75R007M2HXTMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 28,5mA
Fabricant Infineon Technologies Americas Corp.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 169 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5854 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 651W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 750 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 198A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,3mohms à 129,7A, 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA