Name: GT065P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT065P06D5TR-ND
Price: 2.7588 EUR
Availability: InStock

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GT065P06D5
Numéro de produit DigiKey	3141-GT065P06D5TR-ND - Bande et bobine 3141-GT065P06D5CT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT065P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT065P06D5
Description	MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 103 A (Tc) 178W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 7mohms à -20A, -10V
Fabricant Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Série SGT	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5730 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 178W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 103 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DFN (4,9x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN