Name: GT020N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT020N10TLTR-ND
Price: 3.5937 EUR
Availability: InStock

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GT020N10TL
Numéro de produit DigiKey	3141-GT020N10TLTR-ND - Bande et bobine 3141-GT020N10TLCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT020N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT020N10TL
Description	MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 300 A (Tc) 330W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 100A, 10V
Série SGT	Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC @ 10 V
Statut du composant Actif	Vgs (max.) 20V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10800 pF @ 50 V
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Dissipation de puissance (max.) 330W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300 A (Tc)	Type de montage Montage en surface