Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G120P06MTR-ND
Price: 2.4805 EUR
Availability: InStock

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G120P06M
Numéro de produit DigiKey	3141-G120P06MTR-ND - Bande et bobine 3141-G120P06MCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G120P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G120P06M
Description	MOSFET P-CH 60V 120A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 120 A (Tc) 277W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	Trench
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,5mohms à 20 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max.)	20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12215 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max.)	277W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface