Name: G09P02L
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G09P02LTR-ND
Price: 0.08152 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

G09P02L
Numéro de produit DigiKey	4822-G09P02LTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G09P02L
Description	MOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L
Référence client
Description détaillée	Canal P 9 A (Tc) 2,5W (Tc) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Vgs (max.)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3