Name: G2R120MT33J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R120MT33J-ND
Price: 96.08566 EUR
Availability: OutOfStock

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G2R120MT33J
Numéro de produit DigiKey	1242-G2R120MT33J-ND
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G2R120MT33J
Description	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 3300 V 35A Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	G2R120MT33J Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G2R™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	3300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	156mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	145 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3706 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	G2R120

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
250	79,40964 €	19 852,41 €

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