Name: GE12160CEA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12160CEA3-ND
Price: 9048.7067 EUR
Availability: InStock

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GE12160CEA3
Numéro de produit DigiKey	4014-GE12160CEA3-ND
Fabricant	GE Aerospace
Numéro de produit du fabricant	GE12160CEA3
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3 750W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 480mA
Fabricant GE Aerospace	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3744nC à 18V
Série SiC Power	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 90000pF à 600V
Conditionnement En vrac	Puissance - Max. 3 750W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies Carbure de silicium (SiC)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage sur châssis
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Boîtier Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,425kA (Tc)	Boîtier fournisseur Module
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 475A, 20V	Numéro de produit de base GE12160