EPC2015 EPC | FET, MOSFET simples

EPC2015 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Direct

EPC

En stock: 11 365

Prix unitaire : 5,37000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

EPC2015
Numéro de produit DigiKey	917-1019-2-ND - Bande et bobine
Fabricant	EPC
Numéro de produit du fabricant	EPC2015
Description	GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 33 A (Ta) Montage en surface MATRICE
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 33A, 5V
Fabricant EPC	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 9mA
Série eGaN®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11.6 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) +6V, -5V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur MATRICE
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Ta)	Boîtier MATRICE
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Numéro de produit de base EPC20