Name: DI080N06PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI080N06PQ-AQTR-ND
Price: 3.0976 EUR
Availability: InStock

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DI080N06PQ-AQ
Numéro de produit DigiKey	4878-DI080N06PQ-AQTR-ND - Bande et bobine 4878-DI080N06PQ-AQCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI080N06PQ-AQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI080N06PQ-AQ
Description	MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 65 V 80 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface 8-QFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI080N06PQ-AQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Fabricant Diotec Semiconductor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4128 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 80W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 65 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-QFN (5x6)
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 30A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DI080N06

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 3 845

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
5 000	0,72494 €	3 624,70 €
10 000	0,71413 €	7 141,30 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,56000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,09760 €

DI080N06PQ-AQ