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DI035N06PQ2-AQ
Diotec Semiconductor
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Fiche technique
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MOSFET - Matrices 60V 35 A (Tc) 35,7W (Tc) Montage en surface TDSON-8-4
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DI035N06PQ2

Numéro de produit DigiKey
4878-DI035N06PQ2-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DI035N06PQ2
Description
MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 35 A (Tc) 35,7W (Tc) Montage en surface TDSON-8-4
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI035N06PQ2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
15mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14,6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
782pF à 30V
Puissance - Max.
35,7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur
TDSON-8-4
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