Name: DI006P02PW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006P02PWTR-ND
Price: 0.7381 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DI006P02PW
Numéro de produit DigiKey	4878-DI006P02PWTR-ND - Bande et bobine 4878-DI006P02PWCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI006P02PWDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI006P02PW
Description	MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface 8-QFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI006P02PW Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diotec Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1242 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-QFN (2x2)
Boîtier	8-PowerUDFN
Numéro de produit de base	DI006P02

Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 4 000

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine