Name: ZXMHC6A07N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC6A07N8DITR-ND
Price: 1.7908 EUR
Availability: InStock

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ZXMHC6A07N8TC
Numéro de produit DigiKey	ZXMHC6A07N8DITR-ND - Bande et bobine ZXMHC6A07N8DICT-ND - Bande coupée (CT) ZXMHC6A07N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMHC6A07N8TC
Description	MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 1,39 A, 1,28 A 870mW Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3,2nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 166pF à 40V, 141pF à 50V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 870mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N et 2 canaux P (pont complet)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,39 A, 1,28 A	Numéro de produit de base ZXMHC6A07
Rds On (max.) à Id, Vgs 250mohms à 1,8A, 10V

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Documents et supports

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