Name: ZVN2110GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZVN2110GTR-ND
Price: 1.5609 EUR
Availability: InStock

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ZVN2110GTA
Numéro de produit DigiKey	ZVN2110GTR-ND - Bande et bobine ZVN2110GCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZVN2110GTA
Description	MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ZVN2110GTA Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 1mA
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 75 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur SOT-223-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 500mA (Ta)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base ZVN2110
Rds On (max.) à Id, Vgs 4ohms à 1A, 10V

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Documents et supports

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine