Name: DMTH8008LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND
Price: 2.1175 EUR
Availability: InStock

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DMTH8008LFGQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH8008LFGQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH8008LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH8008LFGQ-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 17 A (Ta), 70 A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37.7 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2254 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta), 50W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Ta), 70 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur POWERDI3333-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,9mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA