Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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DMTH6016LSDQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6016LSDQ-13
Description	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 7,6 A (Ta) 1,4W, 1,9W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17nC à 10V
Fabricant Diodes Incorporated	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 864pF à 30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,4W, 1,9W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,6 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,5mohms à 10A, 10V	Boîtier fournisseur 8-SO
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH6016

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