Name: DMTH6016LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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DMTH6016LPSQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH6016LPSQ-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH6016LPSQ-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH6016LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6016LPSQ-13
Description	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 9,8 A (Ta), 37 A (Tc) 2,6W (Ta), 37,5W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 864 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,6W (Ta), 37,5W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,8 A (Ta), 37 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH6016

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