Name: DMTH6016LFVWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6016LFVWQ-7TR-ND
Price: 0.9922 EUR
Availability: OutOfStock

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Panjit International Inc.

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DMTH6016LFVWQ-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH6016LFVWQ-7TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH6016LFVWQ-7CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH6016LFVWQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6016LFVWQ-7
Description	MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 41 A (Tc) 1,17W (Ta) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15.1 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 939 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,17W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41 A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH6016

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
PJQ4464AP-AU_R2_000A1	Panjit International Inc.	2 949	3757-PJQ4464AP-AU_R2_000A1CT-ND	1,08000 €	Similaire

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Bande et bobine

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Prix unitaire avec TVA:	0,99220 €

DMTH6016LFVWQ-7