Name: DMTH6005LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6005LPSQ-13TR-ND
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

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DMTH6005LPSQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH6005LPSQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH6005LPSQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH6005LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6005LPSQ-13
Description	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 20,6 A (Ta), 100 A (Tc) 3,2W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 47.1 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2962 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 150W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20,6 A (Ta), 100 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH6005

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMTH6005LPS-13	Diodes Incorporated	2 386	DMTH6005LPS-13DICT-ND	1,82000 €	Équivalent paramétrique
FDMS86520	onsemi	5 832	FDMS86520CT-ND	2,10000 €	Similaire