Name: DMTH4M40SPGW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH4M40SPGW-13TR-ND
Price: 1.90251 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH4M40SPGWQ-13

Diodes Incorporated

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Canal N 40 V 680A (Tc) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc) Montage en surface PowerDI8080-5

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DMTH4M40SPGW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH4M40SPGW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH4M40SPGW-13
Description	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 680A (Tc) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc) Montage en surface PowerDI8080-5
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 229 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18011 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 680A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerDI8080-5
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier SOT-1235
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,4mohms à 25A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMTH4M40SPGWQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH4M40SPGWQ-13TR-ND	1,75292 €	Équivalent paramétrique

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