Name: DMTH4008LFDFWQ-13R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH4008LFDFWQ-13RTR-ND
Price: 0.17244 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH4008LFDFWQ-13R
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH4008LFDFWQ-13RTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH4008LFDFWQ-13R
Description	MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 11,6 A (Ta) 2,35W (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.2 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1030 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,35W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,6 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,5mohms à 10A, 10V	Boîtier 6-UDFN plot exposé
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA