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Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
En stock: 2 687
Prix unitaire : 1,34000 €
Fiche technique
Canal N 80 V 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMT8012LFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMT8012LFG-13-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMT8012LFG-13
Description
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
34 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1949 pF @ 40 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,2W (Ta), 30W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 12A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMT8012LFG-7Diodes Incorporated2 687DMT8012LFG-7DICT-ND1,34000 €Équivalent paramétrique
Disponible sur commande
Stock usine : 3 000
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,32040 €961,20 €
6 0000,29761 €1 785,66 €
9 0000,29417 €2 647,53 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,32040 €
Prix unitaire avec TVA:0,38768 €