Name: DMT6010LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6010LPS-13DITR-ND
Price: 1.694 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMT6010LPS-13
Numéro de produit DigiKey	DMT6010LPS-13DITR-ND - Bande et bobine DMT6010LPS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT6010LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT6010LPS-13
Description	MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 13,5 A (Ta), 80 A (Tc) 2,2W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41.3 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2090 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,2W (Ta), 113W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,5 A (Ta), 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base DMT6010

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 3 046

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine