Name: DMT15H017LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT15H017LPS-13TR-ND
Price: 2.4805 EUR
Availability: InStock

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DMT15H017LPS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT15H017LPS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT15H017LPS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT15H017LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT15H017LPS-13
Description	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 9,4A (Ta), 58A (Tc) 1,3W (Ta) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMT15H017LPS-13 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3369 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,3W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,4A (Ta), 58A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,5mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA	Numéro de produit de base DMT15