Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 1.5004 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMT12H090LFDF4-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - Bande et bobine 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT12H090LFDF4-7
Description	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 115 V 3,4 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface X2-DFN2020-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 251 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 115 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,4 A (Ta)	Boîtier fournisseur X2-DFN2020-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 3V, 10V	Boîtier 6-PowerXDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 90mohms à 3,5A, 10V	Numéro de produit de base DMT12

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 975

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine