Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

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DMT12H007LPS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT12H007LPS-13
Description	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 90 A (Tc) 2,9W Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3224 pF @ 60 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,9W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,8mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base DMT12