Name: DMT10H075LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H075LE-13TR-ND
Price: 0.20968 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 100 V 4 A (Ta) 2,4W (Ta) Montage en surface SOT-223-3

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DMT10H075LE-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT10H075LE-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H075LE-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4 A (Ta) 2,4W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.5 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 228 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,4W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-223-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 65mohms à 4A, 10V

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Bande et bobine