Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 2.4805 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT10H017LPD-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H017LPD-13
Description	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28,6nC à 10V
Fabricant Diodes Incorporated	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1986pF à 50V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,2W (Ta), 78W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54,7A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,4mohms à 17A, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMT10