Name: DMNH6010SCTB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMNH6010SCTB-13TR-ND
Price: 1.38552 EUR
Availability: OutOfStock

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DMNH6010SCTBQ-13

Diodes Incorporated

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Canal N 60 V 133 A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface TO-263AB (D2PAK)

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DMNH6010SCTB-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMNH6010SCTB-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMNH6010SCTB-13
Description	MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 133 A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2692 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 375W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 133 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263AB (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base DMNH6010

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMNH6010SCTBQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMNH6010SCTBQ-13TR-ND	1,27455 €	Équivalent paramétrique

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