Name: DMN3730UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3730UFB4-7BTR-ND
Price: 0.3509 EUR
Availability: InStock

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DMN3730UFB4-7B
Numéro de produit DigiKey	31-DMN3730UFB4-7BTR-ND - Bande et bobine 31-DMN3730UFB4-7BCT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN3730UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3730UFB4-7B
Description	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	750mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	460mohms à 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	950mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	64.3 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	470mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN1006-3
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	DMN3730

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