Name: DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4DITR-ND
Price: 0.7139 EUR
Availability: InStock

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DMN32D2LFB4-7
Numéro de produit DigiKey	DMN32D2LFB4DITR-ND - Bande et bobine DMN32D2LFB4DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN32D2LFB4DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN32D2LFB4-7
Description	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 100mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	39 pF @ 3 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN1006-3
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	DMN32