Name: DMN3035LWN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3035LWN-7DITR-ND
Price: 0.8591 EUR
Availability: InStock

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DMN3035LWN-7
Numéro de produit DigiKey	DMN3035LWN-7DITR-ND - Bande et bobine DMN3035LWN-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3035LWN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3035LWN-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 5,5A 770mW Montage en surface V-DFN3020-8 (Type N)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9,9nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 399pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 770mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5A	Boîtier fournisseur V-DFN3020-8 (Type N)
Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 4,8A, 10V	Numéro de produit de base DMN3035

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